Эльбрус/hcl/память: различия между версиями

Материал из ALT Linux Wiki
м (→‎Проверенные модули: +1 (кстати, заработал в MC0 с тремя кингстонами))
(не показано 6 промежуточных версий этого же участника)
Строка 1: Строка 1:
= Совместимость модулей памяти =
= Совместимость модулей памяти =


Рассматриваются актуальные системы [[эльбрус/архитектура|v3/v4]], поддерживающие DDR3 ECC DIMM с существенными ограничениями (т.к. в основном доступны модули с организацией x4).
Системы на базе [http://wiki.elbrus.ru/Характеристики_процессоров_Эльбрус процессоров "Эльбрус"] работают с памятью типа DDR ECC:
* v5/v6 (8СВ и 16С/12С/2С3) -- DDR4 ECC;
* v3/v4 (4С и 8С/1С+) -- DDR3 ECC;
* v2 (2С+/2СМ) -- DDR2 ECC.
 
См. тж. соответствующий раздел [http://wiki.elbrus.ru/HCL/RAM официальной вики].
 
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от [[эльбрус/пнс|программы начального старта]] — в соответствии с [http://mcst.ru/kontakty-mcst наличием спроса] со стороны заказчиков.
 
= DDR3 =
 
Поддерживаются DDR3 ECC DIMM с существенными ограничениями (т.к. в основном доступны модули с организацией x4); будьте внимательны при закупке отдельно от материнской платы/ВК, стоит проконсультироваться с техподдержкой МЦСТ либо при возможности провести предварительное тестирование на совместимость (и в случае работоспособности модулей, ещё не описанных в таблице, добавить их сюда).


== Общие критерии ==
== Общие критерии ==
''см. #2849''
''см. mcst#2849''
* шина данных x8, x16 (но <u>не</u> x4)  
* шина данных x8, x16 (но <u>не</u> x4)  
* RDIMM, UDIMM (но <u>не</u> LRDIMM)
* RDIMM, UDIMM (но <u>не</u> LRDIMM)
Строка 64: Строка 75:
* Kingston KVR1066D3Q8R7S/8G,<br/>Crucial CT16G3ERSLD413339 ''по одной вместо комплектной на 801-РС; #2849''
* Kingston KVR1066D3Q8R7S/8G,<br/>Crucial CT16G3ERSLD413339 ''по одной вместо комплектной на 801-РС; #2849''


= Разбор полётов =
== Разбор полётов ==
''см. #2888''
''см. #2888''


Строка 81: Строка 92:
  Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов
  Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов
  на 2-ранковой планке x4.
  на 2-ранковой планке x4.
= DDR4 =
Сведения по [http://wiki.elbrus.ru/Характеристики_процессоров_Эльбрус v5/v6] (DDR4 ECC DIMM с куда более мягкими ограничениями) доступны на [http://wiki.elbrus.ru/HCL/RAM/DDR4 официальной вики elbrus.ru].
== Общие критерии ==
Основные требования контроллера памяти процессора:
* количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
* количество слоёв в кристалле —
** v5: 1 ('''2D'''-технология),
** v6: до 8 ('''3D stacking''');
* ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: '''x4''', '''x8''', '''x16''');
* ширина шины данных всего модуля — 72 бит ('''ECC''');
* буферизация — регистровая ('''registered''', '''R'''DIMM, DDR4'''R''') или при небольшом объёме памяти — без буферизации ('''unbuffered''', '''U'''DIMM);
* количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
* суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
* напряжение — обычное (1,2 В);
* форм-фактор — DIMM;
* все модули в компьютере должны быть идентичными.
Из этого следует, что '''не''' поддерживаются модули:
* с многокристальными микросхемами — '''модули multi-die package не поддерживаются''' (dual-die, quad-die);
* с многослойными кристаллами — '''модули 3DS не поддерживаются''' (v5);
* без коррекции ошибок (ECC) — '''модули x64 не поддерживаются''';
* при превышении количества рангов — '''2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются''' (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
* с пониженной нагрузкой (load-reduced) — '''модули LR-DIMM не поддерживаются''';
* разнородные — '''смешивать разные модули нельзя''' (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).
Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером на данный момент — 2400 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, ''предположительно'', будут работать (на фактической частоте контроллера памяти).
== Проверенные модули ==
{| class="standard sortable" width="90%"
!width="1%"|№||width="8%"|P/N||width="6%"|Фирма||width="6%"|Тип||width="4%"|Ранк||width="4%"|Гб||width="8%"|Версия ПНС||width="10%"|Версия ОС||width="8%"|Тип ВК||width="12%"|Комментарии
|- class="shadow"
| || || || || || || || ||
|-
|1||M4R0-8GSSBCIK||Innodisk||DDR4-2666||2R||8||||||E8C2||МЦСТ
|-
|2||TS424RLD16GL-MTS||Transcend||DDR4-2400||||16||||||E8C2||МЦСТ
|-
|3||TS426ELD8G-MTS||Transcend||DDR4-2666||||8||||||E8C2||МЦСТ
|-
|4||[http://market.yandex.ru/product--operativnaia-pamiat-16-gb-1-sht-kingston-ksm26rs4-16hai/30901164 KSM26RS4/16HAI]||Kingston||DDR4-2666||1Rx4||16||E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703||Альт 9.2-бета (ядро 5.4)||E8C2||Базальт СПО
|-
|5||[http://market.yandex.ru/product--operativnaia-pamiat-samsung-16gb-2666mhz-cl19-m391a2k43bb1-ctdqy/482984060 M391A2K43BB1-CTDQ]||Samsung||DDR4-2666||2Rx8||16||E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703||Альт 9.2-бета (ядро 5.4)||E8C2||Базальт СПО
|}


= Ссылки =
= Ссылки =
* [http://wiki.elbrus.ru/Список_совместимости/Оперативная_память/DDR3 Список совместимости/Оперативная память/DDR3] на официальной wiki.elbrus.ru
* [http://wiki.elbrus.ru/Список_совместимости/Оперативная_память Список совместимости/Оперативная память] на официальной wiki.elbrus.ru: [http://wiki.elbrus.ru/Список_совместимости/Оперативная_память/DDR3 DDR3], [http://wiki.elbrus.ru/Список_совместимости/Оперативная_память/DDR4 DDR4]
* [http://www.mcst.ru/files/5f1ad6/d30cd8/503d23/000000/bilyaletdinov_i.e_timin_l.s._problemy_realizatsii_vysokoskorostnyh_kanalov_operativnoy_pamyati_ddr4_v_rossiyskom_mnogoyadernom_mikroprotsessore_novogo_pokoleniya.pdf Проблемы реализации высокоскоростных каналов оперативной памяти DDR4 в российском многоядерном микропроцессоре нового поколения] (И.Е. Билялетдинов, Л.С. Тимин)
* [http://www.mcst.ru/files/5f1ad6/d30cd8/503d23/000000/bilyaletdinov_i.e_timin_l.s._problemy_realizatsii_vysokoskorostnyh_kanalov_operativnoy_pamyati_ddr4_v_rossiyskom_mnogoyadernom_mikroprotsessore_novogo_pokoleniya.pdf Проблемы реализации высокоскоростных каналов оперативной памяти DDR4 в российском многоядерном микропроцессоре нового поколения] (И.Е. Билялетдинов, Л.С. Тимин)


[[Категория:E2K#HCL]]
[[Категория:E2K#HCL]]
{{Category navigation|title=E2K|category=E2K|sortkey=*}}
{{Category navigation|title=E2K|category=E2K|sortkey=*}}

Версия от 16:17, 23 апреля 2021

Совместимость модулей памяти

Системы на базе процессоров "Эльбрус" работают с памятью типа DDR ECC:

  • v5/v6 (8СВ и 16С/12С/2С3) -- DDR4 ECC;
  • v3/v4 (4С и 8С/1С+) -- DDR3 ECC;
  • v2 (2С+/2СМ) -- DDR2 ECC.

См. тж. соответствующий раздел официальной вики.

Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.

DDR3

Поддерживаются DDR3 ECC DIMM с существенными ограничениями (т.к. в основном доступны модули с организацией x4); будьте внимательны при закупке отдельно от материнской платы/ВК, стоит проконсультироваться с техподдержкой МЦСТ либо при возможности провести предварительное тестирование на совместимость (и в случае работоспособности модулей, ещё не описанных в таблице, добавить их сюда).

Общие критерии

см. mcst#2849

  • шина данных x8, x16 (но не x4)
  • RDIMM, UDIMM (но не LRDIMM)
  • ECC
  • DDR3
  • 1333/1600 МГц
  • все четыре планки должны быть одинаковыми

Проверенные модули

P/N Фирма Тип Ранк Гб Версия ПНС Версия ОС Тип ВК Комментарии
1 KVR16R11D8/8 Kingston DDR3-1600 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4 МЦСТ
2 KVR16LR11D8/8 Kingston DDR3-1600 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4 МЦСТ
3 mt18jsf51272pdz-1g6k1he Micron DDR3-1600 2 4 E2S-release-2.14.1.7 4.4, 801-РС МЦСТ
4 KVR16R11S8/4 Kingston DDR3-1600 1 4 E2S-release-2.15.1.3 401-PC МЦСТ
5 KVR1333D3Q8R9S/8G Kingston DDR3-1280 4 8 E2S-release-2.15.1.3 401-PC МЦСТ
6 HMT151R7BFR8C-G7 DB AB-C Hynix DDR3-1066 4 4 E2S-release-2.15.1.3 401-PC МЦСТ
7 KVR16E11/8 Kingston DDR3-1600 UDIMM 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4 МЦСТ
8 TS1GKR72V6HL Transcend DDR3-1600 REG-DIMM 2 8 МЦСТ
9 KVR13LR9Q8/16 Kingston DDR3L-1333 4 16 E2S-release-2.15.1.3 401-PC, 801-РС, 101-РС МЦСТ
10 TS1GLK64V6H Transcend DDR3-1600 UDIMM 2 8 МЦСТ
11 MT18KSF1G72PDZ-1G6 Micron DDR3-1600 RDIMM 2 8 МЦСТ
12 Crucial EUDIMM ? 16 МЦСТ
13 Transcend DDR3-1600 VLP R 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4, 801-PC МЦСТ
14 TS2GKR72V3H Transcend DDR3-1333 REG 4 16 801-PC МЦСТ
15 XL16B8E8GMPNP-DC --- AL24M72B8BLK0S ATP DDR3L-1600 ECC REG 8 E2S-release-2.19.2.0, lomako-boot(25) 401-РС, 801-PC МЦСТ
16 CT51272BD160BJ Crucial DIMM PC3-12800 1 4 801-РС МЦСТ
17 D3M-8G16S518WA MemxPro DDR3-1600 PC3-12800 CL11 RDIMM 2 8 101-РС, 401-РС, 801-РС МЦСТ. Для бута 401-РС от 2016г. не работает.
18 TSMTD3LR03-8GL Transcend DDR3-1600 PC3-10600 CL9 RDIMM 2 8 801-РС mike@; комплектная
19 TSMTD3LR08-4G Transcend DDR3-1600 PC3-10600 RDIMM 4 E8C-mITX, E1C-mITX комплектная
20 KTD-PE313Q8LV/16G Kingston DDR3-1333 PC3-12800 CL11 RDIMM 4 16 mike@; #2849

Несовместимы

  • Kingston KTD-PE313LV/16G 4 шт. на 801-РС; #2888: "x4"
  • Kingston KVR1066D3Q8R7S/8G,
    Crucial CT16G3ERSLD413339 по одной вместо комплектной на 801-РС; #2849

Разбор полётов

см. #2888

По присланным фотографиям видно, что чипы памяти помечены маркировкой SEC. 
Это Samsung Electronics Corporation.
https://www.qdatasheet.com/datasheet.jsp?pn=K4B4G0446D&fac=Samsung
По этой ссылке можно увидеть расшифровку буквенно-числового названия чипов
от Samsung. На фото - K4B4G0446E. Подчёркиванием выделено поле
5. Bit Organization (04: x4).

Как отличать x4 от x8 и x16? Обычно пишут на этикетке. Если нет, то можно
поискать информацию об отдельном чипе в Интернете (что я сейчас проделал).

Ширина чипа SDRAM (x4, x8, x16) никак не влияет на пропускную способность.
Один ранк памяти с ECC (x72) можно набрать 18-ю чипами x4 или 9ю чипами x8.
Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов
на 2-ранковой планке x4.

DDR4

Сведения по v5/v6 (DDR4 ECC DIMM с куда более мягкими ограничениями) доступны на официальной вики elbrus.ru.

Общие критерии

Основные требования контроллера памяти процессора:

  • количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
  • количество слоёв в кристалле —
    • v5: 1 (2D-технология),
    • v6: до 8 (3D stacking);
  • ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: x4, x8, x16);
  • ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
  • буферизация — регистровая (registered, RDIMM, DDR4R) или при небольшом объёме памяти — без буферизации (unbuffered, UDIMM);
  • количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
  • суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
  • напряжение — обычное (1,2 В);
  • форм-фактор — DIMM;
  • все модули в компьютере должны быть идентичными.

Из этого следует, что не поддерживаются модули:

  • с многокристальными микросхемами — модули multi-die package не поддерживаются (dual-die, quad-die);
  • с многослойными кристаллами — модули 3DS не поддерживаются (v5);
  • без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
  • при превышении количества рангов — 2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
  • с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются;
  • разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).

Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером на данный момент — 2400 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать (на фактической частоте контроллера памяти).

Проверенные модули

P/N Фирма Тип Ранк Гб Версия ПНС Версия ОС Тип ВК Комментарии
1 M4R0-8GSSBCIK Innodisk DDR4-2666 2R 8 E8C2 МЦСТ
2 TS424RLD16GL-MTS Transcend DDR4-2400 16 E8C2 МЦСТ
3 TS426ELD8G-MTS Transcend DDR4-2666 8 E8C2 МЦСТ
4 KSM26RS4/16HAI Kingston DDR4-2666 1Rx4 16 E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703 Альт 9.2-бета (ядро 5.4) E8C2 Базальт СПО
5 M391A2K43BB1-CTDQ Samsung DDR4-2666 2Rx8 16 E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703 Альт 9.2-бета (ядро 5.4) E8C2 Базальт СПО

Ссылки